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本征模扩展求解器(EME)

SimWorks Eigenmode Expansion Solver 基于模式耦合理论,将任意输入光场高效分解为波导横截面的本征模式线性组合,并结合边界条件在频域中求解麦克斯韦方程,精确计算模式间的耦合与演化。该方法专为平面波导结构设计,尤其擅长处理大规模、长距离的光传播仿真,在保证高精度的同时显著提升计算效率。因此,EME 已成为集成光学器件研发中模拟复杂波导系统传输特性的首选工具。下面简要介绍求解器的物理原理。

Eigenmode Expansion Solver 算法基本原理

本征模扩展求解器基于模式耦合理论,将波导沿传播方向划分为多个横截面区域,并在每个截面上将光场展开为该处本征模式的线性叠加。通过计算相邻截面间本征模式的重叠积分,精确构建局部界面的散射关系;随后,采用高效的级联算法将各局部S矩阵递推组合,最终获得整个系统的全局S参数矩阵。主要物理原理如下:

波导横截面上的电场分布可以表示为本征模式的线性组合:

Et(rt,z)=mam+(z)etm(rt)ejβmz+am(z)etm(rt)ejβmzE_t(r_t,z)=\sum_{m} a_m^{+}(z) e_{tm}(r_t)e^{-j\beta_m z} +a_m^{-}(z) e_{tm}(r_t)e^{j\beta_m z}

其中:

  • am+(z),am(z)a_m^{+}(z), a_m^{-}(z):本征模式 mm 的正向和反向的模式扩展系数;
  • etm(rt)e_{tm}(r_t):本征模式 mm 的横向电场分布;
  • βm\beta_m:本征模式 mm 的传播常数。
  • zz: 沿传播方向的坐标。

根据麦克斯韦方程的边界条件,可以得到边界上的模场必须满足切向连续,因此

etpA(rt)+n=1NRnpetnA(rt)=m=1MTmpetmB(rt)htpA(rt)n=1NRnphtnA(rt)=m=1MTmphtmB(rt)e_{tp}^{A}(r_t) + \sum_{n=1}^{N} R_{np} e_{tn}^{A}(r_t)= \sum_{m=1}^{M} T_{mp}e_{tm}^{B}(r_t) \\ h_{tp}^{A}(r_t) - \sum_{n=1}^{N} R_{np} h_{tn}^{A}(r_t)= \sum_{m=1}^{M} T_{mp}h_{tm}^{B}(r_t)

其中:

  • R 是反射系数矩阵;
  • T 是透射系数矩阵;
  • etpA(rt),htpA(rt)e_{tp}^{A}(r_t), h_{tp}^{A}(r_t) 是波导A的第p个本征模的电场和磁场分布;
  • etnA(rt),htnA(rt)e_{tn}^{A}(r_t), h_{tn}^{A}(r_t) 是波导A的第n个本征模的电场和磁场分布;
  • etmB(rt),htmB(rt)e_{tm}^{B}(r_t), h_{tm}^{B}(r_t) 是波导B的第m个本征模的电场和磁场分布。

根据Lorentz互易定理,可以基于功率内积来定义模式之间的重叠积分:

etm,htn=12etm(rt)×htn(rt)z^drt\langle e_{tm}, h_{tn}^{*} \rangle =\frac{1}{2} \int e_{tm}(r_t) \times h_{tn}^*(r_t) \cdot \hat{z} dr_t

etm,htn=etn,htm\langle e_{tm}, h_{tn}^{*} \rangle = \langle e_{tn}^{*}, h_{tm} \rangle

由本征模的正交归一性得到:

etm(rt)×htn(rt)z^drt=Nnδmn\int e_{tm}(r_t) \times h_{tn}^*(r_t) \cdot \hat{z} dr_t = N_n\delta_{mn}

其中 NnN_n 是模式 nn 的归一化常数。

本征模扩展求解器基于模式耦合理论,将波导沿传播方向划分为多个横截面区域,并在每个截面上将光场展开为该处本征模式的线性叠加。通过计算相邻截面间本征模式的重叠积分,精确构建局部界面的散射关系;随后,采用高效的级联算法将各局部S矩阵递推组合,最终获得整个系统的全局S参数矩阵。主要物理原理如下:

通过上面2个边界条件方程在功率内积空间的正交投影,可以得到波导A和波导B界面的S矩阵,从而计算出输入/输出模式之间的透射和反射关系:

[AB+]=Sinterface[A+B]=[RABTBATABRBA][A+B]\begin{bmatrix} A_{-} \\ B_{+} \end{bmatrix} = S^{interface}\begin{bmatrix} A_{+} \\ B_{-} \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} R_{AB} & T_{BA} \\ T_{AB} & R_{BA} \end{bmatrix} \begin{bmatrix}A_{+} \\ B_{-} \end{bmatrix}

其中,A+=(a1+,a2+,...,aM+)TA_{+}=(a_{1}^+, a_{2}^+, ..., a_{M}^+)^TA=(a1,a2,...,aM)TA_{-}=(a_{1}^-, a_{2}^-, ..., a_{M}^-)^T 分别表示波导 A 中正向和反向传输本征模的模式系数向量,B+=(b1+,b2+,...,bN+)TB_{+}=(b_{1}^+, b_{2}^+, ..., b_{N}^+)^TB=(b1,b2,...,bN)TB_{-}=(b_{1}^-, b_{2}^-, ..., b_{N}^-)^T 分别是波导B正向和反向传输本征模的模式系数向量。

综上所述,通过求解每个界面的S矩阵和相位传输矩阵,我们可以得到每个单元的局部散射关系,然后可以通过级联算法(比如:Redheffer's矩阵星积)将多个单元的S矩阵组合起来,得到整个器件的S矩阵,从而分析器件的传输和反射特性。下面给出第i和第i+1个单元的S矩阵级联公式:

Si,i+1=SiSi+1Sdevice=S1S2...Si...SNS^{i,i+1} = S^{i} \star S^{i+1} \\ S^{device}= S^{1} \star S^{2} \star ... S^{i}\star...\star S^{N}

因此,物理端口和内部端口的S矩阵可以通过上述级联算法计算,最终得到整个系统的全局S矩阵(见下图中的user s matrix)。

Sglobal=SinputSdeviceSoutput S^{global} = S^{input} \star S^{device} \star S^{output}

通过上面2个边界条件方程在功率内积空间的正交投影,可以得到波导A和波导B界面的S矩阵,从而计算出输入/输出模式之间的透射和反射关系:

参考文献

[1] Wei-Ping Huang, "Coupled-mode theory for optical waveguides: an overview," J.Opt.Soc.Am.A 11, 963-983 (1994).

[2] Peter Bienstman, "Rigorous and efficient modeling of wavelength-scale photonic components," Ph.D. thesis, Ghent University (2001).

[3] A. W. Snyder and J. D. Love, "Optical Waveguide Theory," Chapman and Hall, London (1983).